技术指标:1、带手动基片传片器。2、热ALD和PEALD两种模式。3、热反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：500℃。4、等离子反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：450℃。5、样品尺寸：8英寸及以下。6、沉积材料：氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料。7、厚度均匀性：≤±1.0% (4英寸),或≤±2.0% (8英寸)。

应用领域：该系统具备热ALD沉积功能和等离子增强ALD工艺模式，可用于8英寸及以下尺寸的基底氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料的沉积。