技术指标: 1、反应腔室本底真空： ≤ 1×10^-6mbar。2、反应腔衬底加热温度：20~350℃。3、ICP源功率范围：100~1200W。4、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均匀性：±5%（8英寸片）。

应用领域:适用于低温条件下8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积。