技术指标:最高温度：550 ℃；最大电压：2.5 KV；最大压力：2 KN；真空度：1×10^-4mbar。

应用领域:该芯片键合机可实现阳极键合、硅硅直接键合、融熔键合、热压键合等多种圆片级键合形式。