技术指标:1、5支2英寸磁控溅射靶枪。2、基片加热器采用高温加热材料，最高温度可达到800℃。3、溅射方式：为避免微粒物质落到基片上，采用基片在上、磁控溅射靶在下的结构，即由下向上溅射。4、工作模式：可以采用单靶独立、多靶轮流或组合共溅工作模式，向心溅射。5、溅射镀膜室的极限真空：5 x 10^-10torr。6、样品尺寸：≤4英寸。

应用领域:适用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜（需配射频电源）、介质复合膜和其它化学反应膜。