技术指标:适用于4英寸及以下尺寸的硅片刻蚀；使用气体有：SF6，C4F8，O2；掩膜材料可以是光刻胶和氧化硅；刻蚀深宽比20：1以内；同时兼有常温BOSCH工艺和低温CRYO工艺。

应用领域:硅深槽刻蚀。