技术指标:1、采用去离子水粘贴硅片或采用真空吸附硅片进行抛光，摒弃传统的涂蜡粘贴硅片的方式，有利于抛光后硅片的清洗。2、具备背压功能，能够显著提升抛光的均匀性。3、具备抛光终点检测系统，防止过抛。

   以SiO₂ 为例，WIWNU（片内不均匀性）≤3%，WTWNU（片内不均匀性）≤5%，RMS（20μm×20μm）小于0.4nm。

应用领域:CMP加工表面的粗糙度最小，且不会产生次表面损伤层。目前已经成功开发聚合物，Si、SiC、Ge、GaN等半导体材料，SiO₂、Si₃N₄、PSG、GeO、Al₂O₃等介质层以及Al普通金属和Au、Pt等惰性金属的化学机械抛光工艺。